根據(jù)《安徽省基于新型半導(dǎo)體材料的專用功率器件工程研究中心開放課題申請(qǐng)(2021年度)》要求,經(jīng)個(gè)人申請(qǐng)、研究中心學(xué)術(shù)委員會(huì)組織專家評(píng)審、公示,共有3項(xiàng)批準(zhǔn)立項(xiàng)?,F(xiàn)將立項(xiàng)結(jié)果予以公布(詳見附件),各項(xiàng)目承擔(dān)人應(yīng)嚴(yán)格按照項(xiàng)目申請(qǐng)書的內(nèi)容,完善項(xiàng)目管理和項(xiàng)目資金使用。根據(jù)項(xiàng)目執(zhí)行計(jì)劃按期完成各項(xiàng)研究任務(wù)。
2022年1月18日
附件:2021年度基于新型半導(dǎo)體材料的專用功率器件安徽省工程研究中心開放基金立項(xiàng)一覽表
序號(hào) | 項(xiàng)目編號(hào) | 項(xiàng)目名稱 | 項(xiàng)目類別 | 主持人 | 單位 | 備注 |
1 |
2021GCYJZX01 |
集成肖特基二極管的高壓超結(jié)功率MOSFET研制 |
自由申報(bào)項(xiàng)目 |
汪海波 |
合肥師范學(xué)院 |
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2 |
2021GCYJZX02 |
新型半導(dǎo)體功率器件的電熱力協(xié)同仿真及應(yīng)用設(shè)計(jì)研究 |
自由申報(bào)項(xiàng)目 |
任信鋼 |
安徽大學(xué) |
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3 |
2021GCYJZX03 |
SiC MOS 電容的納米級(jí) SiO2-SiNx復(fù)合鈍化及晶格缺陷調(diào)控機(jī)理 |
自由申報(bào)項(xiàng)目 |
曾瑋 |
安徽大學(xué) |
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